Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).ⓘ Parametro di transconduttanza [K_n]			+10% -10%
✖La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.ⓘ Tensione attraverso l'ossido [V_ox]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione tra Gate e Source [V_gs]			+10% -10%

✖La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.ⓘ Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente [i_d]

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Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).
Tensione attraverso l'ossido - (Misurato in Volt) - La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza: 2.95 Milliampere per Volt Quadrato --> 0.00295 Ampere per Volt Quadrato (Controlla la conversione qui)
Tensione attraverso l'ossido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Gate e Source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Valutare ... ...

i_d = 0.017489075

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.017489075 Ampere -->17.489075 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

17.489075 ≈ 17.48907 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

LaTeX Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

LaTeX Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Tensione di scarico totale istantanea

LaTeX Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

LaTeX Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Vedi altro >>

< Azioni CV degli amplificatori a stadio comune Calcolatrici

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune

LaTeX Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1

Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune

LaTeX Partire Impedenza di ingresso = (1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^(-1)

Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune

LaTeX Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza in ingresso*Corrente di base

Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune

LaTeX Partire Corrente dell'emettitore = Tensione di ingresso/Resistenza dell'emettitore

Vedi altro >>

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente Formula

LaTeX Partire

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Cos'è il MOSFET e la sua applicazione?

MOSFET viene utilizzato per la commutazione o l'amplificazione dei segnali. La capacità di modificare la conduttività con la quantità di tensione applicata può essere utilizzata per amplificare o commutare i segnali elettronici. I MOSFET sono ora ancora più comuni dei BJT (transistor a giunzione bipolare) nei circuiti digitali e analogici.

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