Tensione di ingresso nel transistor calcolatrice

✖La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.ⓘ Resistenza allo scarico [R_d]			+10% -10%
✖La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%
✖La tensione di drain istantanea totale è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione di drenaggio istantanea totale [V_d]			+10% -10%

✖La tensione del componente fondamentale è la prima armonica della tensione nell'analisi armonica dell'onda quadra della tensione in un circuito basato su inverter.ⓘ Tensione di ingresso nel transistor [V_fc]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Formule PDF PDF Image

Tensione di ingresso nel transistor Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale
V_fc = R_d*i_d-V_d
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione dei componenti fondamentali - (Misurato in Volt) - La tensione del componente fondamentale è la prima armonica della tensione nell'analisi armonica dell'onda quadra della tensione in un circuito basato su inverter.
Resistenza allo scarico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.
Tensione di drenaggio istantanea totale - (Misurato in Volt) - La tensione di drain istantanea totale è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistenza allo scarico: 0.36 Kilohm --> 360 Ohm (Controlla la conversione qui)
Assorbimento di corrente: 17.5 Millampere --> 0.0175 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione di drenaggio istantanea totale: 1.284 Volt --> 1.284 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_fc = R_d*i_d-V_d --> 360*0.0175-1.284

Valutare ... ...

V_fc = 5.016

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.016 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

5.016 Volt <-- Tensione dei componenti fondamentali

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Amplificatori » Amplificatori a transistor » Caratteristiche dell'amplificatore a transistor » Tensione di ingresso nel transistor

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

LaTeX Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

LaTeX Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Tensione di scarico totale istantanea

LaTeX Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

LaTeX Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Vedi altro >>

Tensione di ingresso nel transistor Formula

LaTeX Partire

Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale
V_fc = R_d*i_d-V_d

Cos'è il MOSFET e la sua applicazione?

MOSFET viene utilizzato per la commutazione o l'amplificazione dei segnali. La capacità di modificare la conduttività con la quantità di tensione applicata può essere utilizzata per amplificare o commutare i segnali elettronici. I MOSFET sono ora ancora più comuni dei BJT (transistor a giunzione bipolare) nei circuiti digitali e analogici.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!