Resistenza di ingresso del circuito di gate comune Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente
Rin = Vx/ix
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso 2 è l'opposizione che un componente o circuito elettrico presenta al flusso di corrente elettrica quando gli viene applicata una tensione.
Prova di tensione - (Misurato in Volt) - La tensione di prova prevede l'applicazione di una tensione estremamente elevata attraverso la barriera isolante del dispositivo per un minuto.
Prova corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di prova è un flusso di portatori di carica elettrica, solitamente elettroni o atomi carenti di elettroni.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Prova di tensione: 27 Volt --> 27 Volt Nessuna conversione richiesta
Prova corrente: 89 Millampere --> 0.089 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rin = Vx/ix --> 27/0.089
Valutare ... ...
Rin = 303.370786516854
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kilohm (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.303370786516854 0.303371 Kilohm <-- Resistenza in ingresso
(Calcolo completato in 00.006 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido
​ Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source
Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione
​ Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2
Tensione di scarico totale istantanea
​ Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente
Tensione di ingresso nel transistor
​ Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune Formula

Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente
Rin = Vx/ix

Qual è l'uso del circuito common-gate?

Questa configurazione circuitale viene normalmente utilizzata come amplificatore di tensione. La sorgente di FET in questa configurazione funziona come input e drain come output.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!