Resistenza in ingresso Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza in ingresso = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza alla fonte)
Ri = ((Rd*fco^2)/(4*fm^2))-(Rg+Rs)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso è definita come la resistenza interna totale sperimentata da MESFET.
Resistenza allo scarico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di drenaggio è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la variazione corrispondente della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.
Frequenza di taglio - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio è definita come la frequenza angolare è un limite nella risposta in frequenza del sistema al quale l'energia che fluisce attraverso il sistema inizia a ridursi anziché passare.
Frequenza massima delle oscillazioni - (Misurato in Hertz) - La frequenza massima delle oscillazioni è definita come il limite superiore pratico per il funzionamento utile del circuito con MESFET.
Resistenza alla metallizzazione del cancello - (Misurato in Ohm) - La resistenza alla metallizzazione del gate è definita come la resistenza della metallizzazione di una striscia di gate FET che ha l'effetto di posizionare una resistenza non lineare in serie con la giunzione di gate.
Resistenza alla fonte - (Misurato in Ohm) - La resistenza della sorgente è una misura di quanto questa sorgente si oppone al carico per assorbire corrente da essa.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistenza allo scarico: 450 Ohm --> 450 Ohm Nessuna conversione richiesta
Frequenza di taglio: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Nessuna conversione richiesta
Frequenza massima delle oscillazioni: 65 Hertz --> 65 Hertz Nessuna conversione richiesta
Resistenza alla metallizzazione del cancello: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza alla fonte: 5.75 Ohm --> 5.75 Ohm Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ri = ((Rd*fco^2)/(4*fm^2))-(Rg+Rs) --> ((450*30.05^2)/(4*65^2))-(2.8+5.75)
Valutare ... ...
Ri = 15.4944452662722
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
15.4944452662722 Ohm --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
15.4944452662722 15.49445 Ohm <-- Resistenza in ingresso
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Caratteristiche del MESFET Calcolatrici

Lunghezza del cancello del MESFET
​ LaTeX ​ Partire Lunghezza del cancello = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Frequenza di taglio)
Frequenza di taglio
​ LaTeX ​ Partire Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)
Capacità della sorgente di gate
​ LaTeX ​ Partire Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)
Transconduttanza nel MESFET
​ LaTeX ​ Partire Transconduttanza = 2*Capacità della sorgente di gate*pi*Frequenza di taglio

Resistenza in ingresso Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza in ingresso = ((Resistenza allo scarico*Frequenza di taglio^2)/(4*Frequenza massima delle oscillazioni^2))-(Resistenza alla metallizzazione del cancello+Resistenza alla fonte)
Ri = ((Rd*fco^2)/(4*fm^2))-(Rg+Rs)

Cos'è MESFET?

Un MESFET (transistor metallo-semiconduttore ad effetto di campo) è un dispositivo semiconduttore a transistor ad effetto di campo simile a un JFET con una giunzione Schottky (metallo-semiconduttore) invece di una giunzione ap-n per un gate.

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