Capacità di ingresso dell'IGBT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità di ingresso (IGBT) = Capacità da gate a emettitore (IGBT)+Capacità da gate a collettore (IGBT)
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Capacità di ingresso (IGBT) - (Misurato in Farad) - La capacità di ingresso (IGBT) è la capacità tra i terminali di gate e di emettitore del dispositivo.
Capacità da gate a emettitore (IGBT) - (Misurato in Farad) - La capacità gate-emettitore (IGBT) è la capacità tra i terminali gate ed emettitore del dispositivo.
Capacità da gate a collettore (IGBT) - (Misurato in Farad) - La capacità gate-collector (IGBT), nota anche come capacità Miller, è una capacità parassita che esiste tra i terminali gate e collettore di un IGBT.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità da gate a emettitore (IGBT): 0.21 Farad --> 0.21 Farad Nessuna conversione richiesta
Capacità da gate a collettore (IGBT): 5.55 Farad --> 5.55 Farad Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt) --> 0.21+5.55
Valutare ... ...
Cin(igbt) = 5.76
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.76 Farad --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.76 Farad <-- Capacità di ingresso (IGBT)
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Mohamed Fazil V
Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore
Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

8 IGBT Calcolatrici

Corrente di collettore continua nominale dell'IGBT
​ Partire Corrente diretta (IGBT) = (-Tensione totale di collettore ed emettitore (IGBT)+sqrt((Tensione totale di collettore ed emettitore (IGBT))^2+4*Resistenza del collettore e dell'emettitore (IGBT)*((Giunzione operativa massima (IGBT)-IGBT temperatura custodia)/Resistenza termica (IGBT))))/(2*Resistenza del collettore e dell'emettitore (IGBT))
Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON
​ Partire Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)
Tensione di saturazione dell'IGBT
​ Partire Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT))
Orario di spegnimento dell'IGBT
​ Partire Orario di spegnimento (IGBT) = Tempo di ritardo (IGBT)+Tempo di caduta iniziale (IGBT)+Tempo di caduta finale (IGBT)
Massima dissipazione di potenza negli IGBT
​ Partire Massima dissipazione di potenza (IGBT) = Giunzione operativa massima (IGBT)/Giunzione all'angolo del case (IGBT)
Capacità di ingresso dell'IGBT
​ Partire Capacità di ingresso (IGBT) = Capacità da gate a emettitore (IGBT)+Capacità da gate a collettore (IGBT)
Corrente dell'emettitore dell'IGBT
​ Partire Corrente dell'emettitore (IGBT) = Corrente nel buco (IGBT)+Corrente elettronica (IGBT)
Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT
​ Partire Tensione di guasto SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Carica positiva netta (IGBT))^(3/4))

Capacità di ingresso dell'IGBT Formula

Capacità di ingresso (IGBT) = Capacità da gate a emettitore (IGBT)+Capacità da gate a collettore (IGBT)
Cin(igbt) = C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
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