✖La diffusione effettiva è un parametro relativo al processo di diffusione dei portatori ed è influenzata dalle proprietà del materiale e dalla geometria della giunzione del semiconduttore.ⓘ Diffusione efficace [Dn] | | | +10% -10% |
✖L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.ⓘ Area di giunzione della base dell'emettitore [A] | | | +10% -10% |
✖Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.ⓘ Carica [q] | | | +10% -10% |
✖La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione intrinseca [ni] | | | +10% -10% |
✖La corrente di collettore è la corrente che scorre attraverso il terminale del collettore del transistor ed è la corrente che viene amplificata dal transistor.ⓘ Corrente del collettore [Ic] | | | +10% -10% |
✖La tensione dell'emettitore base è la tensione tra la base e l'emettitore quando polarizzata direttamente, con il collettore disconnesso.ⓘ Emettitore di base di tensione [Vbe] | | | +10% -10% |
✖La tensione termica è la tensione creata dalla giunzione di metalli diversi quando esiste una differenza di temperatura tra queste giunzioni.ⓘ Tensione termica [Vt] | | | +10% -10% |