MCM di due numeri

Porta per la capacità di drenaggio calcolatrice

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Progettazione VLSI analogica Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del cancello [C_g]			+10% -10%
✖La capacità da gate a base è definita come la capacità osservata tra il gate e la base della giunzione del MOSFET.ⓘ Capacità da gate a base [C_gb]			+10% -10%
✖La capacità da gate a source è definita come la capacità osservata tra il gate e la source della giunzione del MOSFET.ⓘ Capacità dal gate alla sorgente [C_gs]			+10% -10%

✖La capacità da gate a drain è definita come la capacità osservata tra il gate e il drain della giunzione del MOSFET.ⓘ Porta per la capacità di drenaggio [C_gd]

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Porta per la capacità di drenaggio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Porta per la capacità di drenaggio - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a drain è definita come la capacità osservata tra il gate e il drain della giunzione del MOSFET.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Capacità da gate a base - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a base è definita come la capacità osservata tra il gate e la base della giunzione del MOSFET.
Capacità dal gate alla sorgente - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a source è definita come la capacità osservata tra il gate e la source della giunzione del MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità da gate a base: 35 Microfarad --> 3.5E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dal gate alla sorgente: 14.61 Microfarad --> 1.461E-05 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_gd = C_g-(C_gb+C_gs) --> 5.961E-05-(3.5E-05+1.461E-05)

Valutare ... ...

C_gd = 1E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1E-05 Farad -->10 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

10 Microfarad <-- Porta per la capacità di drenaggio

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Capacità da gate a base

LaTeX Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

LaTeX Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Gate to Channel Voltage

LaTeX Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Porta al potenziale del collezionista

LaTeX Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Vedi altro >>

Porta per la capacità di drenaggio Formula

LaTeX Partire

Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)
C_gd = C_g-(C_gb+C_gs)

Cos'è la capacità parassita?

La capacità parassita, o capacità parassita, è una capacità inevitabile e solitamente indesiderata che esiste tra le parti di un componente o circuito elettronico semplicemente a causa della loro vicinanza l'una all'altra.

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