✖Tempo di disattivazione della capacità gate source Il FET si riferisce al tempo necessario affinché la capacità gate-source si scarichi, un parametro critico per il controllo della velocità di commutazione e dell'efficienza energetica.ⓘ Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖La tensione di drain source FET è la tensione tra il drain e il terminale source di un FET.ⓘ FET di tensione della sorgente di drenaggio [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.ⓘ FET potenziale di superficie [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Capacità gate source FET è la capacità tra i terminali gate e source di un FET.ⓘ Capacità della sorgente di gate del FET [C_gs(fet)]

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Formula

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Capacità della sorgente di gate del FET

Formula

`"C"_{"gs(fet)"} = "T"_{"gs-off(fet)"}/(1-("V"_{"ds(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"}))^(1/3)`

Esempio

`"6.805694F"="2.234s"/(1-("4.8V"/"4.976V"))^(1/3)`

Calcolatrice

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Capacità della sorgente di gate del FET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

FET di capacità della sorgente di gate = Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET/(1-(FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET potenziale di superficie))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

FET di capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - Capacità gate source FET è la capacità tra i terminali gate e source di un FET.
Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET - (Misurato in Secondo) - Tempo di disattivazione della capacità gate source Il FET si riferisce al tempo necessario affinché la capacità gate-source si scarichi, un parametro critico per il controllo della velocità di commutazione e dell'efficienza energetica.
FET di tensione della sorgente di drenaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di drain source FET è la tensione tra il drain e il terminale source di un FET.
FET potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET: 2.234 Secondo --> 2.234 Secondo Nessuna conversione richiesta
FET di tensione della sorgente di drenaggio: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Nessuna conversione richiesta
FET potenziale di superficie: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)

Valutare ... ...

C_gs(fet) = 6.80569376657684

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

6.80569376657684 Farad --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

6.80569376657684 ≈ 6.805694 Farad <-- FET di capacità della sorgente di gate

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 8 FET Calcolatrici

Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET

Partire Assorbimento della corrente FET = FET conduttanza del canale*(FET di tensione della sorgente di drenaggio+3/2*((FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio-FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2)-(FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2))/((FET potenziale di superficie+Tensione di spegnimento)^(1/2)))

Scarica la tensione della sorgente del FET

Partire FET di tensione della sorgente di drenaggio = Tensione di alimentazione al FET di drenaggio-Assorbimento della corrente FET*(FET di resistenza al drenaggio+FET di resistenza della sorgente)

Transconduttanza del FET

Partire FET a transconduttanza diretta = (2*Corrente di drenaggio polarizzata zero)/Tensione di spegnimento*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/Tensione di spegnimento)

Capacità della sorgente di gate del FET

Partire FET di capacità della sorgente di gate = Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET/(1-(FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET potenziale di superficie))^(1/3)

Capacità di drenaggio del gate del FET

Partire Capacità di drenaggio del gate FET = Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET/(1-FET di tensione da gate a drain/FET potenziale di superficie)^(1/3)

Corrente di drenaggio del FET

Partire Assorbimento della corrente FET = Corrente di drenaggio polarizzata zero*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET di tensione di interruzione)^2

Ridurre la tensione del FET

Partire Tensione di spegnimento = FET di tensione della sorgente di drenaggio Pinch OFF-FET di tensione della sorgente di drenaggio

Guadagno di tensione del FET

Partire FET guadagno di tensione = -FET a transconduttanza diretta*FET di resistenza al drenaggio