MCM di due numeri

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione calcolatrice

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✖La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Larghezza del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.ⓘ Lunghezza del transistor [L_t]			+10% -10%
✖La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La capacità di sovrapposizione è una capacità parassita che si verifica a causa della sovrapposizione fisica tra il gate e le regioni source/drain.ⓘ Capacità di sovrapposizione [C_ov]			+10% -10%

✖La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione [C_gs]

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Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Larghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Lunghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Capacità di sovrapposizione - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione è una capacità parassita che si verifica a causa della sovrapposizione fisica tra il gate e le regioni source/drain.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza del transistor: 5.5 Micrometro --> 5.5E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del transistor: 3.2 Micrometro --> 3.2E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Capacità dell'ossido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nessuna conversione richiesta
Capacità di sovrapposizione: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Valutare ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

13.75004576 ≈ 13.75005 Microfarad <-- Capacità della sorgente di gate

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Conduttività di tipo N

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Conduttività ohmica delle impurità

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

LaTeX Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

LaTeX Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

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