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Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖Lo spessore dell'ossido di gate è definito come lo spessore dello strato isolante (ossido) che separa l'elettrodo di gate dal substrato semiconduttore in un MOSFET.ⓘ Spessore dell'ossido di gate [t_ox]			+10% -10%
✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%

✖Lo spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo è definito come il nuovo spessore dello strato di ossido dopo aver ridotto le dimensioni del transistor mantenendo il campo elettrico costante.ⓘ Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI [t_ox']

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Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala
t_ox' = t_ox/Sf
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa - (Misurato in Metro) - Lo spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo è definito come il nuovo spessore dello strato di ossido dopo aver ridotto le dimensioni del transistor mantenendo il campo elettrico costante.
Spessore dell'ossido di gate - (Misurato in Metro) - Lo spessore dell'ossido di gate è definito come lo spessore dello strato isolante (ossido) che separa l'elettrodo di gate dal substrato semiconduttore in un MOSFET.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Spessore dell'ossido di gate: 2 Nanometro --> 2E-09 Metro (Controlla la conversione qui)
Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

t_ox' = t_ox/Sf --> 2E-09/1.5

Valutare ... ...

t_ox' = 1.33333333333333E-09

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.33333333333333E-09 Metro -->1.33333333333333 Nanometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.33333333333333 ≈ 1.333333 Nanometro <-- Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI Formula

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Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala
t_ox' = t_ox/Sf

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