Calcolatore mcm

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del cancello [C_g]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [C_ox]			+10% -10%
✖La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.ⓘ Larghezza del cancello [W_g]			+10% -10%

✖La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.ⓘ Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate [L_g]

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Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Lunghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Larghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 29.83 Microfarad per millimetro quadrato --> 29.83 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Larghezza del cancello: 0.285 Millimetro --> 0.000285 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Valutare ... ...

L_g = 0.00701166257917674

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00701166257917674 Metro -->7.01166257917674 Millimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Millimetro <-- Lunghezza del cancello

(Calcolo completato in 00.021 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate Formula

LaTeX Partire

Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Quali sono le applicazioni dello strato di ossido in VLSI?

Lo strato di ossido ha applicazioni chiave nei dispositivi a semiconduttore. Serve come isolante di gate nei transistor MOS, consentendo il controllo del flusso di elettroni. Inoltre, funge da strato di isolamento elettrico tra diversi componenti e interconnessioni, garantendo un funzionamento affidabile ed efficiente dei circuiti integrati in applicazioni quali microprocessori, dispositivi di memoria e sensori.

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