Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
Lg = Cg/(Cox*Wg)
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Lunghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Larghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 29.83 Microfarad per millimetro quadrato --> 29.83 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del cancello: 0.285 Millimetro --> 0.000285 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Lg = Cg/(Cox*Wg) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)
Valutare ... ...
Lg = 0.00701166257917674
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00701166257917674 Metro -->7.01166257917674 Millimetro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
7.01166257917674 7.011663 Millimetro <-- Lunghezza del cancello
(Calcolo completato in 00.008 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Coefficiente DIBL
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Channel Charge
​ LaTeX ​ Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Tensione critica
​ LaTeX ​ Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate Formula

​LaTeX ​Partire
Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
Lg = Cg/(Cox*Wg)

Quali sono le applicazioni dello strato di ossido in VLSI?

Lo strato di ossido ha applicazioni chiave nei dispositivi a semiconduttore. Serve come isolante di gate nei transistor MOS, consentendo il controllo del flusso di elettroni. Inoltre, funge da strato di isolamento elettrico tra diversi componenti e interconnessioni, garantendo un funzionamento affidabile ed efficiente dei circuiti integrati in applicazioni quali microprocessori, dispositivi di memoria e sensori.

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