Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente del cancello - (Misurato in Ampere) - La corrente di gate è definita come quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, non scorre corrente nel drain tranne la corrente di dispersione, a causa di un'impedenza drain-source molto elevata.
Potenza statica CMOS - (Misurato in Watt) - La potenza statica CMOS è definita come la corrente di dispersione dovuta al bassissimo consumo di energia statica nei dispositivi CMOS.
Tensione del collettore di base - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Corrente sottosoglia - (Misurato in Ampere) - La corrente di sottosoglia è la dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.
Corrente di contesa - (Misurato in Ampere) - La corrente di contesa è definita come la corrente di contesa che si verifica nei circuiti rapportati.
Corrente di giunzione - (Misurato in Ampere) - La corrente di giunzione è la perdita di giunzione dalle diffusioni source/drain.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Potenza statica CMOS: 67.37 Milliwatt --> 0.06737 Watt (Controlla la conversione ​qui)
Tensione del collettore di base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente sottosoglia: 1.6 Millampere --> 0.0016 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Corrente di contesa: 25.75 Millampere --> 0.02575 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Corrente di giunzione: 1.5 Millampere --> 0.0015 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)
Valutare ... ...
ig = 0.00450148514851485
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00450148514851485 Ampere -->4.50148514851485 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
4.50148514851485 4.501485 Millampere <-- Corrente del cancello
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Metriche di potenza CMOS Calcolatrici

Potenza di commutazione
​ LaTeX ​ Partire Commutazione dell'alimentazione = Fattore di attività*(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Fattore di attività
​ LaTeX ​ Partire Fattore di attività = Commutazione dell'alimentazione/(Capacità*Tensione del collettore di base^2*Frequenza)
Potenza di cortocircuito nel CMOS
​ LaTeX ​ Partire Potenza di cortocircuito = Potenza dinamica-Commutazione dell'alimentazione
Potenza dinamica nel CMOS
​ LaTeX ​ Partire Potenza dinamica = Potenza di cortocircuito+Commutazione dell'alimentazione

Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate Formula

​LaTeX ​Partire
Corrente del cancello = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione)
ig = (Pst/Vbc)-(ist+icon+ij)

Il MOSFET è un dispositivo di controllo della corrente?

Il MOSFET, come il FET, è un dispositivo controllato in tensione. Un ingresso di tensione al gate controlla il flusso di corrente dalla sorgente allo scarico. Il cancello non assorbe una corrente continua.

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