Capacità del gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Cg = Qch/(Vgc-Vt)
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Carica del canale - (Misurato in Coulomb) - La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.
Voltaggio da gate a canale - (Misurato in Volt) - La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica del canale: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Voltaggio da gate a canale: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Cg = Qch/(Vgc-Vt) --> 0.0004/(7.011-0.3)
Valutare ... ...
Cg = 5.96036358217851E-05
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 Microfarad (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
59.6036358217851 59.60364 Microfarad <-- Capacità del cancello
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Coefficiente DIBL
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Channel Charge
​ LaTeX ​ Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Tensione critica
​ LaTeX ​ Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Capacità del gate Formula

​LaTeX ​Partire
Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Cg = Qch/(Vgc-Vt)

Quali sono le applicazioni del calcolo della capacità di gate in VLSI?

Il calcolo della capacità di gate in (VLSI) è fondamentale per ottimizzare il consumo energetico e l'integrità del segnale. Aiuta a progettare circuiti CMOS efficienti, a determinare i ritardi e a ridurre al minimo la potenza di commutazione. Questa conoscenza è vitale per ottenere circuiti integrati ad alte prestazioni e a basso consumo in applicazioni come smartphone, dispositivi IoT e microprocessori.

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