Calcolatore mcm

Capacità del gate calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.ⓘ Carica del canale [Q_ch]			+10% -10%
✖La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.ⓘ Voltaggio da gate a canale [V_gc]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%

✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del gate [C_g]

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Capacità del gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Carica del canale - (Misurato in Coulomb) - La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.
Voltaggio da gate a canale - (Misurato in Volt) - La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica del canale: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Controlla la conversione qui)
Voltaggio da gate a canale: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_g = Q_ch/(V_gc-V_t) --> 0.0004/(7.011-0.3)

Valutare ... ...

C_g = 5.96036358217851E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

59.6036358217851 ≈ 59.60364 Microfarad <-- Capacità del cancello

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Capacità del gate Formula

LaTeX Partire

Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)

Quali sono le applicazioni del calcolo della capacità di gate in VLSI?

Il calcolo della capacità di gate in (VLSI) è fondamentale per ottimizzare il consumo energetico e l'integrità del segnale. Aiuta a progettare circuiti CMOS efficienti, a determinare i ritardi e a ridurre al minimo la potenza di commutazione. Questa conoscenza è vitale per ottenere circuiti integrati ad alte prestazioni e a basso consumo in applicazioni come smartphone, dispositivi IoT e microprocessori.

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