Calcolatrice da A a Z

Potenziale di Fermi per il tipo P calcolatrice

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✖La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.ⓘ Temperatura assoluta [Ta]
+10%
-10%
✖La concentrazione intrinseca dei portatori è una proprietà fondamentale di un materiale semiconduttore e rappresenta la concentrazione dei portatori di carica generati termicamente in assenza di influenze esterne.ⓘ Concentrazione intrinseca del portatore [ni]
+10%
-10%
✖La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione antidoping dell'accettore [NA]
+10%
-10%
✖Il potenziale di Fermi per il tipo P è il livello energetico che rappresenta gli elettroni con la massima energia nella banda di valenza all'equilibrio termico.ⓘ Potenziale di Fermi per il tipo P [ΦFp]
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Formula
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Potenziale di Fermi per il tipo P Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)
ΦFp = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(ni/NA)
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 4 Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Funzioni utilizzate
ln - Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)
Variabili utilizzate
Potenziale di Fermi per il tipo P - (Misurato in Volt) - Il potenziale di Fermi per il tipo P è il livello energetico che rappresenta gli elettroni con la massima energia nella banda di valenza all'equilibrio termico.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.
Concentrazione intrinseca del portatore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione intrinseca dei portatori è una proprietà fondamentale di un materiale semiconduttore e rappresenta la concentrazione dei portatori di carica generati termicamente in assenza di influenze esterne.
Concentrazione antidoping dell'accettore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Temperatura assoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nessuna conversione richiesta
Concentrazione intrinseca del portatore: 3000000 Elettroni per metro cubo --> 3000000 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione antidoping dell'accettore: 1.32 Elettroni per centimetro cubo --> 1320000 Elettroni per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ΦFp = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(ni/NA) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(3000000/1320000)
Valutare ... ...
ΦFp = 0.00173329185218156
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00173329185218156 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.00173329185218156 ≈ 0.001733 Volt <-- Potenziale di Fermi per il tipo P
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Titoli di coda

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Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
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Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
​ LaTeX ​ Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))
Potenziale di Fermi per il tipo P
​ LaTeX ​ Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
​ LaTeX ​ Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
​ LaTeX ​ Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Potenziale di Fermi per il tipo P Formula

​LaTeX ​Partire
Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)
ΦFp = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(ni/NA)
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