Potenziale di Fermi per il tipo N calcolatrice

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Transistor MOS Analisi di piccoli segnali Attuale Caratteristiche del MOSFET Distorsione Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Fattore di amplificazione o guadagno Miglioramento del canale N Miglioramento del canale P Rapporto di reiezione di modo comune (CMRR)Resistenza Transconduttanza Voltaggio

✖La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.ⓘ Temperatura assoluta [T_a]			+10% -10%
✖La concentrazione del drogante donatore è la concentrazione di atomi donatori per unità di volume.ⓘ Concentrazione del drogante del donatore [N_d]			+10% -10%
✖La concentrazione intrinseca dei portatori è una proprietà fondamentale di un materiale semiconduttore e rappresenta la concentrazione dei portatori di carica generati termicamente in assenza di influenze esterne.ⓘ Concentrazione intrinseca del portatore [n_i]			+10% -10%

✖Il potenziale di Fermi per il tipo N è un parametro chiave che descrive il livello di energia al quale la probabilità di trovare un elettrone è 0,5.ⓘ Potenziale di Fermi per il tipo N [Φ_Fn]

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Formula

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Potenziale di Fermi per il tipo N

Formula

Φ Fn = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{N d}{n i})

Esempio

0.081443 V = \frac{[BoltZ] \cdot 24.5 K}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{1.7E+23 electrons/m³}{3000000 electrons/m³})

Calcolatrice

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Potenziale di Fermi per il tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Potenziale di Fermi per il tipo N = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione del drogante del donatore/Concentrazione intrinseca del portatore)
Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i)
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, detto anche logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Potenziale di Fermi per il tipo N - (Misurato in Volt) - Il potenziale di Fermi per il tipo N è un parametro chiave che descrive il livello di energia al quale la probabilità di trovare un elettrone è 0,5.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta è una misura dell'energia termica in un sistema e viene misurata in Kelvin.
Concentrazione del drogante del donatore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione del drogante donatore è la concentrazione di atomi donatori per unità di volume.
Concentrazione intrinseca del portatore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione intrinseca dei portatori è una proprietà fondamentale di un materiale semiconduttore e rappresenta la concentrazione dei portatori di carica generati termicamente in assenza di influenze esterne.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Temperatura assoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nessuna conversione richiesta
Concentrazione del drogante del donatore: 1.7E+23 Elettroni per metro cubo --> 1.7E+23 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione intrinseca del portatore: 3000000 Elettroni per metro cubo --> 3000000 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(1.7E+23/3000000)

Valutare ... ...

Φ_Fn = 0.081443344057026

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.081443344057026 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.081443344057026 ≈ 0.081443 Volt <-- Potenziale di Fermi per il tipo N

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 5 Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))

Potenziale di Fermi per il tipo P

Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)

Potenziale di Fermi per il tipo N

Partire Potenziale di Fermi per il tipo N = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione del drogante del donatore/Concentrazione intrinseca del portatore)

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

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