Calcolatore mcd

Eccessiva concentrazione del vettore calcolatrice

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Banda energetica e portatore di carica Elettroni e buchi Giunzione SSD Porta semiconduttori

✖Velocità di generazione ottica il numero di elettroni generati in ogni punto del dispositivo a causa dell'assorbimento di fotoni.ⓘ Velocità di generazione ottica [g_op]			+10% -10%
✖Recombination Lifetime il tempo medio impiegato da un portatore minoritario in eccesso per ricombinarsi.ⓘ Ricombinazione a vita [τ_n]			+10% -10%

✖L'eccesso di concentrazione di portatori è extra di elettroni presenti nella concentrazione di portatori.ⓘ Eccessiva concentrazione del vettore [δ_n]

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Eccessiva concentrazione del vettore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
δ_n = g_op*τ_n
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione in eccesso di portatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - L'eccesso di concentrazione di portatori è extra di elettroni presenti nella concentrazione di portatori.
Velocità di generazione ottica - Velocità di generazione ottica il numero di elettroni generati in ogni punto del dispositivo a causa dell'assorbimento di fotoni.
Ricombinazione a vita - (Misurato in Secondo) - Recombination Lifetime il tempo medio impiegato da un portatore minoritario in eccesso per ricombinarsi.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Velocità di generazione ottica: 2.9E+19 --> Nessuna conversione richiesta
Ricombinazione a vita: 3.62E-06 Secondo --> 3.62E-06 Secondo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Valutare ... ...

δ_n = 104980000000000

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

104980000000000 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

104980000000000 ≈ 1E+14 1 per metro cubo <-- Concentrazione in eccesso di portatori

(Calcolo completato in 00.007 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Banda energetica e portatore di carica Calcolatrici

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

LaTeX Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

LaTeX Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Energia della banda di valenza

LaTeX Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

LaTeX Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Vedi altro >>

< Porta semiconduttori Calcolatrici

Funzione di Fermi

LaTeX Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Coefficiente di distribuzione

LaTeX Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Energia della banda di conduzione

LaTeX Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

LaTeX Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Vedi altro >>

Eccessiva concentrazione del vettore Formula

LaTeX Partire

Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
δ_n = g_op*τ_n

Come si aumenta la concentrazione dei portatori?

L'abbassamento della temperatura provoca una diminuzione della concentrazione del vettore intrinseco, mentre l'aumento della temperatura provoca un aumento della concentrazione del vettore intrinseco

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