MCM di tre numeri

Spessore equivalente dell'ossido calcolatrice

Ingegneria Chimica Finanziario Fisica Di Più >>

↳

Elettronica Civile Elettrico Elettronica e strumentazione Di Più >>

⤿

Circuiti integrati (IC)Amplificatori Antenna e propagazione delle onde Comunicazione digitale Di Più >>

⤿

Fabbricazione di circuiti integrati MOS Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Trigger di Schmitt

✖Lo spessore del materiale è lo spessore del materiale specificato. Si riferisce alla dimensione fisica di un oggetto misurata perpendicolarmente alla sua superficie.ⓘ Spessore del materiale [t_high-k]			+10% -10%
✖La costante dielettrica del materiale è una misura della capacità di un materiale di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.ⓘ Costante dielettrica del materiale [k_high-k]			+10% -10%

✖Lo spessore equivalente dell'ossido è una misura utilizzata nella tecnologia dei semiconduttori per caratterizzare le proprietà isolanti di un dielettrico di gate in un dispositivo a semiconduttore a ossido di metallo (MOS).ⓘ Spessore equivalente dell'ossido [EOT]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Fabbricazione di circuiti integrati MOS Formule PDF PDF Image

Spessore equivalente dell'ossido Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Spessore equivalente dell'ossido - (Misurato in Metro) - Lo spessore equivalente dell'ossido è una misura utilizzata nella tecnologia dei semiconduttori per caratterizzare le proprietà isolanti di un dielettrico di gate in un dispositivo a semiconduttore a ossido di metallo (MOS).
Spessore del materiale - (Misurato in Metro) - Lo spessore del materiale è lo spessore del materiale specificato. Si riferisce alla dimensione fisica di un oggetto misurata perpendicolarmente alla sua superficie.
Costante dielettrica del materiale - La costante dielettrica del materiale è una misura della capacità di un materiale di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Spessore del materiale: 8.5 Nanometro --> 8.5E-09 Metro (Controlla la conversione qui)
Costante dielettrica del materiale: 2.26 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Valutare ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.46681415929204E-08 Metro -->14.6681415929204 Nanometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanometro <-- Spessore equivalente dell'ossido

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Circuiti integrati (IC) » Fabbricazione di circuiti integrati MOS » Spessore equivalente dell'ossido

Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Effetto corpo nel MOSFET

LaTeX Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

LaTeX Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

LaTeX Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Vedi altro >>

Spessore equivalente dell'ossido Formula

LaTeX Partire

Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!