Calcolatrice da A a Z
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Resistenza
Transconduttanza
Voltaggio
✖
La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.
ⓘ
Voltaggio finale [V
2
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.
ⓘ
Tensione iniziale [V
1
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.
ⓘ
Capacità di giunzione [C
j
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Decafarad
Decifarad
EMU di capacità
ESU di capacità
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Ettofarad
kilofarad
Megafarad
Microfarad
Millifrad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
La capacità equivalente di segnale grande è un modello semplificato utilizzato per rappresentare l'effetto combinato delle capacità di giunzione alle basse frequenze (regime di segnale grande).
ⓘ
Capacità equivalente di segnale grande [C
eq
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Decafarad
Decifarad
EMU di capacità
ESU di capacità
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Ettofarad
kilofarad
Megafarad
Microfarad
Millifrad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Terafarad
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👎
Formula
✖
Capacità equivalente di segnale grande
Formula
`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`
Esempio
`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`
Calcolatrice
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Scaricamento MOSFET Formula PDF
Capacità equivalente di segnale grande Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità equivalente di segnale grande
= (1/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
))*
int
(
Capacità di giunzione
*x,x,
Tensione iniziale
,
Voltaggio finale
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Questa formula utilizza
1
Funzioni
,
4
Variabili
Funzioni utilizzate
int
- L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, ovvero l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)
Variabili utilizzate
Capacità equivalente di segnale grande
-
(Misurato in Farad)
- La capacità equivalente di segnale grande è un modello semplificato utilizzato per rappresentare l'effetto combinato delle capacità di giunzione alle basse frequenze (regime di segnale grande).
Voltaggio finale
-
(Misurato in Volt)
- La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.
Tensione iniziale
-
(Misurato in Volt)
- La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.
Capacità di giunzione
-
(Misurato in Farad)
- La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Voltaggio finale:
6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt
(Controlla la conversione
qui
)
Tensione iniziale:
5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt
(Controlla la conversione
qui
)
Capacità di giunzione:
95009 Farad --> 95009 Farad Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
C
eq
= (1/(V
2
-V
1
))*int(C
j
*x,x,V
1
,V
2
) -->
(1/(6.135E-09-5.42E-09))*
int
(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)
Valutare ... ...
C
eq
= 0.0005489144975
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0005489144975 Farad --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.0005489144975
≈
0.000549 Farad
<--
Capacità equivalente di segnale grande
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Capacità equivalente di segnale grande
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Creato da
Vignesh Naidu
Vellore Istituto di Tecnologia
(VIT)
,
Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verificato da
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(COLPO)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
21 Transistor MOS Calcolatrici
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Partire
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
= -(2*
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
)/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
)*(
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
-
Voltaggio finale
)-
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
-
Tensione iniziale
)))
Abbassa la corrente nella regione lineare
Partire
Corrente di abbassamento della regione lineare
=
sum
(x,0,
Numero di transistor del driver parallelo
,(
Mobilità elettronica
*
Capacità dell'ossido
/2)*(
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*(2*(
Tensione della sorgente di gate
-
Soglia di voltaggio
)*
Tensione di uscita
-
Tensione di uscita
^2))
Tensione del nodo in una determinata istanza
Partire
Tensione del nodo in una determinata istanza
= (
Fattore di transconduttanza
/
Capacità del nodo
)*
int
(
exp
(-(1/(
Resistenza del nodo
*
Capacità del nodo
))*(
Periodo di tempo
-x))*
Corrente che scorre nel nodo
*x,x,0,
Periodo di tempo
)
Abbassa la corrente nella regione di saturazione
Partire
Regione di saturazione Abbassa corrente
=
sum
(x,0,
Numero di transistor del driver parallelo
,(
Mobilità elettronica
*
Capacità dell'ossido
/2)*(
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*(
Tensione della sorgente di gate
-
Soglia di voltaggio
)^2)
Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS
Partire
Assorbimento di corrente
= (
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*
Mobilità elettronica
*
Capacità dell'ossido
*
int
((
Tensione della sorgente di gate
-x-
Soglia di voltaggio
),x,0,
Tensione della sorgente di drenaggio
)
Tempo di saturazione
Partire
Tempo di saturazione
= -2*
Capacità di carico
/(
Parametro del processo di transconduttanza
*(
Alta tensione di uscita
-
Soglia di voltaggio
)^2)*
int
(1,x,
Alta tensione di uscita
,
Alta tensione di uscita
-
Soglia di voltaggio
)
Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare
Partire
Regione lineare nel ritardo temporale
= -2*
Capacità di giunzione
*
int
(1/(
Parametro del processo di transconduttanza
*(2*(
Tensione di ingresso
-
Soglia di voltaggio
)*x-x^2)),x,
Tensione iniziale
,
Voltaggio finale
)
Densità di carica della regione di esaurimento
Partire
Densità della carica dello strato di esaurimento
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
*
modulus
(
Potenziale di superficie
-
Potenziale di Fermi in massa
)))
Profondità della regione di svuotamento associata allo scarico
Partire
Regione della profondità di esaurimento del drenaggio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potenziale di giunzione incorporato
+
Tensione della sorgente di drenaggio
))/(
[Charge-e]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
))
Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS
Partire
Corrente di drenaggio della regione di saturazione
=
Larghezza del canale
*
Velocità di deriva degli elettroni in saturazione
*
int
(
Carica
*
Parametro del canale corto
,x,0,
Lunghezza effettiva del canale
)
Potenziale di Fermi per il tipo P
Partire
Potenziale di Fermi per il tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentrazione intrinseca del portatore
/
Concentrazione antidoping dell'accettore
)
Potenziale di Fermi per il tipo N
Partire
Potenziale di Fermi per il tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentrazione del drogante del donatore
/
Concentrazione intrinseca del portatore
)
Profondità massima di esaurimento
Partire
Profondità massima di esaurimento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potenziale di Fermi in massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
))
Potenziale incorporato nella regione di esaurimento
Partire
Voltaggio integrato
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
*
modulus
(-2*
Potenziale di Fermi in massa
)))
Profondità della regione di esaurimento associata alla sorgente
Partire
Regione della profondità di esaurimento della fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potenziale di giunzione incorporato
)/(
[Charge-e]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
))
Capacità equivalente di segnale grande
Partire
Capacità equivalente di segnale grande
= (1/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
))*
int
(
Capacità di giunzione
*x,x,
Tensione iniziale
,
Voltaggio finale
)
Coefficiente di polarizzazione del substrato
Partire
Coefficiente di polarizzazione del substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
)/
Capacità dell'ossido
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Partire
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
=
Perimetro del fianco
*
Capacità di giunzione della parete laterale
*
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Potenza media dissipata in un periodo di tempo
Partire
Potenza media
= (1/
Tempo totale impiegato
)*
int
(
Voltaggio
*
Attuale
,x,0,
Tempo totale impiegato
)
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Partire
Capacità di giunzione della parete laterale
=
Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero
*
Profondità del fianco
Funzione di lavoro in MOSFET
Partire
Funzione di lavoro
=
Livello di vuoto
+(
Livello energetico della banda di conduzione
-
Livello Fermi
)
Capacità equivalente di segnale grande Formula
Capacità equivalente di segnale grande
= (1/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
))*
int
(
Capacità di giunzione
*x,x,
Tensione iniziale
,
Voltaggio finale
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Casa
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