Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS calcolatrice

✖La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.ⓘ Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale [μ_n]			+10% -10%
✖Il campo elettrico attraverso la lunghezza del canale è la forza per unità di carica che una particella sperimenta mentre si muove attraverso il canale.ⓘ Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale [E_L]			+10% -10%

✖Electron Drift Velocity è dovuto al campo elettrico che a sua volta fa sì che gli elettroni del canale si spostino verso lo scarico con una velocità.ⓘ Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS [v_d]

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Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
v_d = μ_n*E_L
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Velocità di deriva elettronica - (Misurato in Metro al secondo) - Electron Drift Velocity è dovuto al campo elettrico che a sua volta fa sì che gli elettroni del canale si spostino verso lo scarico con una velocità.
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.
Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale - (Misurato in Volt) - Il campo elettrico attraverso la lunghezza del canale è la forza per unità di carica che una particella sperimenta mentre si muove attraverso il canale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale: 2.2 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.2 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Valutare ... ...

v_d = 23.32

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

23.32 Metro al secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

23.32 Metro al secondo <-- Velocità di deriva elettronica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

NMOS come resistenza lineare

LaTeX Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

LaTeX Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS Formula

LaTeX Partire

Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
v_d = μ_n*E_L

Spiega il funzionamento del transistor NMOS.

Un transistor NMOS con la tensione attraverso la sorgente di gas> tensione di soglia e con una piccola tensione tra lo scarico e la sorgente applicata. Il dispositivo funge da resistenza il cui valore è determinato dalla tensione ai capi della sorgente di gas. In particolare, la conduttanza del canale è proporzionale alla tensione attraverso la sorgente del gas - tensione di soglia, e quindi Id è proporzionale alla tensione (tensione attraverso la sorgente del gas - tensione di soglia) tra lo scarico e la sorgente

Qual è la mobilità dell'elettrone nel canale?

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