MCD di due numeri

Densità effettiva degli stati in banda di conduzione calcolatrice

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✖La massa effettiva dell'elettrone è un concetto utilizzato nella fisica dello stato solido per descrivere il comportamento degli elettroni in un reticolo cristallino o in un materiale semiconduttore.ⓘ Massa effettiva dell'elettrone [m_eff]			+10% -10%
✖La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.ⓘ Temperatura assoluta [T]			+10% -10%

✖La densità effettiva degli stati si riferisce alla densità degli stati elettronici disponibili per unità di volume all'interno della struttura a bande di energia di un materiale.ⓘ Densità effettiva degli stati in banda di conduzione [N_eff]

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Densità effettiva degli stati in banda di conduzione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità effettiva degli Stati = 2*(2*pi*Massa effettiva dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)
Questa formula utilizza 3 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
[hP] - Costante di Planck Valore preso come 6.626070040E-34
pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Densità effettiva degli Stati - La densità effettiva degli stati si riferisce alla densità degli stati elettronici disponibili per unità di volume all'interno della struttura a bande di energia di un materiale.
Massa effettiva dell'elettrone - (Misurato in Chilogrammo) - La massa effettiva dell'elettrone è un concetto utilizzato nella fisica dello stato solido per descrivere il comportamento degli elettroni in un reticolo cristallino o in un materiale semiconduttore.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Massa effettiva dell'elettrone: 2E-31 Chilogrammo --> 2E-31 Chilogrammo Nessuna conversione richiesta
Temperatura assoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) --> 2*(2*pi*2E-31*[BoltZ]*393/[hP]^2)^(3/2)

Valutare ... ...

N_eff = 3.87070655661186E+24

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.87070655661186E+24 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

3.87070655661186E+24 ≈ 3.9E+24 <-- Densità effettiva degli Stati

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka G. Chalikar

L'Istituto Nazionale di Ingegneria (NIE), Mysuru

Priyanka G. Chalikar ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Corrente dovuta alla portante generata otticamente

LaTeX Partire Corrente ottica = Carica*Area di giunzione PN*Tasso di generazione ottica*(Larghezza di transizione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione+Lunghezza della giunzione lato P)

Angolo di Brewsters

LaTeX Partire L'angolo di Brewster = arctan(Indice di rifrazione del mezzo 1/Indice di rifrazione)

Angolo di rotazione del piano di polarizzazione

LaTeX Partire Angolo di rotazione = 1.8*Densità del flusso magnetico*Lunghezza del mezzo

Angolo dell'apice

LaTeX Partire Angolo dell'apice = tan(Alfa)

Vedi altro >>

Densità effettiva degli stati in banda di conduzione Formula

LaTeX Partire

Densità effettiva degli Stati = 2*(2*pi*Massa effettiva dell'elettrone*[BoltZ]*Temperatura assoluta/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)

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