Calcolatrice da A a Z
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La concentrazione dei fori si riferisce al numero di elettroni per unità di volume in un materiale.
ⓘ
Concentrazione dei fori [p]
Elettroni per Angstrom cubico
Elettroni per attometro cubo
Elettroni per centimetro cubo
Elettroni per femtometro cubico
Elettroni per metro cubo
Elettroni per micrometro cubo
Elettroni per millimetro cubo
Elettroni per nanometro cubo
Elettroni per picometro cubo
+10%
-10%
✖
La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.
ⓘ
Mobilità dei fori [μ
p
]
Centimetro quadrato per Volt Secondo
Metro quadrato per Volt al secondo
+10%
-10%
✖
L'intensità del campo elettrico è una quantità vettoriale che rappresenta la forza subita da una carica di prova positiva in un dato punto dello spazio a causa della presenza di altre cariche.
ⓘ
Intensità del campo elettrico [E
i
]
Abvolt/Centimetro
Kilovolt/Centimetro
Kilovolt/Pollice
Kilovolt al metro
Kilovolt per micrometro
Kilovolt per millimetro
Kilovolt per nanometro
Megavolt per centimetro
Megavolt per pollice
Megavolt per metro
Megavolt per micrometro
Megavolt per millimetro
Megavolt per nanometro
Microvolt per centimetro
Microvolt per pollice
Microvolt per metro
Microvolt per micrometro
Microvolt per millimetro
Microvolt per nanometro
Millivolt per centimetro
Millivolt per pollice
Millivolt per metro
Millivolt per micrometro
Millivolt per millimetro
Millivolt per nanometro
Newton/Coulomb
Statvolt/Centimetro
Statvolt/Pollice
Volt per centimetro
Volt/Pollice
Volt per metro
Volt per micrometro
Volt/Mil
Volt per millimetro
Volt per nanometro
+10%
-10%
✖
La deriva della densità di corrente dovuta ai fori si riferisce al movimento dei portatori di carica (fori) in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.
ⓘ
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori [J
p
]
Abampere per centimetro quadrato
Ampere/circolare Mil
Ampere per centimetro quadrato
Ampere per pollice quadrato
Ampere per metro quadrato
Ampere per micrometro quadrato
Ampere per Mil quadrato
Ampere per millimetro quadrato
Ampere per nanometro quadrato
Centiampere per centimetro quadrato
Centiampere per pollice quadrato
Centiampere per Metro Quadrato
Centiampere per micrometro quadrato
Centiampere per millimetro quadrato
Centiampere per nanometro quadrato
Kiloampere per centimetro quadrato
Kiloampere per pollice quadrato
Kiloampere per metro quadro
Kiloampere per micrometro quadrato
Kiloampere per millimetro quadrato
Kiloampere per nanometro quadrato
Megaampere per centimetro quadrato
Megaampere per pollice quadrato
Megaampere per metro quadro
Megaampere per micrometro quadrato
Megaampere per millimetro quadrato
Megaampere per nanometro quadrato
Microampere per centimetro quadrato
Microampere per pollice quadrato
Microampere per metro quadro
Microampere per micrometro quadrato
Microampere per millimetro quadrato
Microampere per nanometro quadrato
Milliampere per centimetro quadrato
Milliampere per pollice quadrato
Milliampere per metro quadrato
Milliampere per micrometro quadrato
Milliampere per millimetro quadrato
Milliampere per nanometro quadrato
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Formula
✖
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
Formula
`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"p"*"μ"_{"p"}*"E"_{"i"}`
Esempio
`"0.071778A/mm²"="[Charge-e]"*"1E^20electrons/m³"*"400m²/V*s"*"11.2V/m"`
Calcolatrice
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Scaricamento Fabbricazione di circuiti integrati MOS Formule PDF
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
=
[Charge-e]
*
Concentrazione dei fori
*
Mobilità dei fori
*
Intensità del campo elettrico
J
p
=
[Charge-e]
*
p
*
μ
p
*
E
i
Questa formula utilizza
1
Costanti
,
4
Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e]
- Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Variabili utilizzate
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
-
(Misurato in Ampere per metro quadrato)
- La deriva della densità di corrente dovuta ai fori si riferisce al movimento dei portatori di carica (fori) in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.
Concentrazione dei fori
-
(Misurato in Elettroni per metro cubo)
- La concentrazione dei fori si riferisce al numero di elettroni per unità di volume in un materiale.
Mobilità dei fori
-
(Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo)
- La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.
Intensità del campo elettrico
-
(Misurato in Volt per metro)
- L'intensità del campo elettrico è una quantità vettoriale che rappresenta la forza subita da una carica di prova positiva in un dato punto dello spazio a causa della presenza di altre cariche.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione dei fori:
1E+20 Elettroni per metro cubo --> 1E+20 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dei fori:
400 Metro quadrato per Volt al secondo --> 400 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Intensità del campo elettrico:
11.2 Volt per metro --> 11.2 Volt per metro Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
J
p
= [Charge-e]*p*μ
p
*E
i
-->
[Charge-e]
*1E+20*400*11.2
Valutare ... ...
J
p
= 71777.512576
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
71777.512576 Ampere per metro quadrato -->0.071777512576 Ampere per millimetro quadrato
(Controlla la conversione
qui
)
RISPOSTA FINALE
0.071777512576
≈
0.071778 Ampere per millimetro quadrato
<--
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
Titoli di coda
Creato da
banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici
Tensione del punto di commutazione
Partire
Tensione del punto di commutazione
= (
Tensione di alimentazione
+
Tensione di soglia PMOS
+
Tensione di soglia NMOS
*
sqrt
(
Guadagno del transistor NMOS
/
Guadagno del transistor PMOS
))/(1+
sqrt
(
Guadagno del transistor NMOS
/
Guadagno del transistor PMOS
))
Effetto corpo nel MOSFET
Partire
Tensione di soglia con substrato
=
Tensione di soglia con zero body bias
+
Parametro dell'effetto corporeo
*(
sqrt
(2*
Potenziale di Fermi in massa
+
Tensione applicata al corpo
)-
sqrt
(2*
Potenziale di Fermi in massa
))
Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione
Partire
Assorbimento di corrente
=
Parametro di transconduttanza
/2*(
Tensione della sorgente di gate
-
Tensione di soglia con zero body bias
)^2*(1+
Fattore di modulazione della lunghezza del canale
*
Tensione della sorgente di drenaggio
)
Concentrazione del drogante del donatore
Partire
Concentrazione del drogante del donatore
= (
Corrente di saturazione
*
Lunghezza del transistor
)/(
[Charge-e]
*
Larghezza del transistor
*
Mobilità elettronica
*
Capacità dello strato di esaurimento
)
Concentrazione del drogante accettore
Partire
Concentrazione del drogante accettore
= 1/(2*
pi
*
Lunghezza del transistor
*
Larghezza del transistor
*
[Charge-e]
*
Mobilità dei fori
*
Capacità dello strato di esaurimento
)
Concentrazione massima di drogante
Partire
Concentrazione massima di drogante
=
Concentrazione di riferimento
*
exp
(-
Energia di attivazione per la solubilità solida
/(
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
))
Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi
Partire
Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni
=
[Charge-e]
*
Concentrazione di elettroni
*
Mobilità elettronica
*
Intensità del campo elettrico
Tempo di propagazione
Partire
Tempo di propagazione
= 0.7*
Numero di transistor di passaggio
*((
Numero di transistor di passaggio
+1)/2)*
Resistenza nel MOSFET
*
Capacità di carico
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
Partire
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
=
[Charge-e]
*
Concentrazione dei fori
*
Mobilità dei fori
*
Intensità del campo elettrico
Resistenza del canale
Partire
Resistenza del canale
=
Lunghezza del transistor
/
Larghezza del transistor
*1/(
Mobilità elettronica
*
Densità del portatore
)
Frequenza di guadagno unitario MOSFET
Partire
Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET
=
Transconduttanza nei MOSFET
/(
Capacità della sorgente di gate
+
Capacità di scarico del cancello
)
Profondità di messa a fuoco
Partire
Profondità di messa a fuoco
=
Fattore di proporzionalità
*
Lunghezza d'onda nella fotolitografia
/(
Apertura numerica
^2)
Dimensione critica
Partire
Dimensione critica
=
Costante dipendente dal processo
*
Lunghezza d'onda nella fotolitografia
/
Apertura numerica
Muori per wafer
Partire
Muori per wafer
= (
pi
*
Diametro del wafer
^2)/(4*
Dimensioni di ogni dado
)
Spessore equivalente dell'ossido
Partire
Spessore equivalente dell'ossido
=
Spessore del materiale
*(3.9/
Costante dielettrica del materiale
)
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori Formula
Deriva della densità di corrente dovuta ai fori
=
[Charge-e]
*
Concentrazione dei fori
*
Mobilità dei fori
*
Intensità del campo elettrico
J
p
=
[Charge-e]
*
p
*
μ
p
*
E
i
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