Resistenza uscita scarico calcolatrice

✖Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.ⓘ Percorso libero medio elettronico [λ]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%

✖La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.ⓘ Resistenza uscita scarico [R_out]

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Resistenza uscita scarico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)
R_out = 1/(λ*i_d)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Percorso libero medio elettronico - Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Percorso libero medio elettronico: 2.78 --> Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_out = 1/(λ*i_d) --> 1/(2.78*8E-05)

Valutare ... ...

R_out = 4496.40287769784

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

4496.40287769784 Ohm -->4.49640287769784 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

4.49640287769784 ≈ 4.496403 Kilohm <-- Resistenza di uscita

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

LaTeX Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)

Resistenza finita tra Drain e Source

LaTeX Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente

Percorso libero medio elettronico

LaTeX Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)

Resistenza uscita scarico

LaTeX Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Vedi altro >>

Resistenza uscita scarico Formula

LaTeX Partire

Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)
R_out = 1/(λ*i_d)

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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