Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET calcolatrice

✖La transconduttanza di processo in PMOS si riferisce al guadagno di un transistor PMOS rispetto alla sua tensione gate-source.ⓘ Transconduttanza di processo in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%
✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET [i_d]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento MOSFET Formula PDF PDF Image

Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza di processo in PMOS si riferisce al guadagno di un transistor PMOS rispetto alla sua tensione gate-source.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza di processo in PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Controlla la conversione qui)
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2 --> 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2

Valutare ... ...

i_d = 8.381E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8.381E-05 Ampere -->0.08381 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.08381 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.013 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » MOSFET » Elettronica analogica » Attuale » Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Attuale Calcolatrici

Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

LaTeX Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-Segnale di ingresso differenziale^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

LaTeX Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-(Segnale di ingresso differenziale)^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

LaTeX Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2

Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = (Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive)*(Segnale di ingresso differenziale/2)

Vedi altro >>

Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula

LaTeX Partire

Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!