Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico calcolatrice

Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Larghezza della giunzione - (Misurato in Metro) - La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.
Carica dello strato di inversione - (Misurato in Coulomb per metro quadrato) - La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Mobilità dei fori nel canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,
Componente orizzontale del campo elettrico nel canale - (Misurato in Volt per metro) - La componente orizzontale del campo elettrico nel canale è l'intensità del campo elettrico esistente nel materiale sotto lo strato di ossido di gate, nella regione in cui si forma lo strato di inversione.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)