Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd calcolatrice

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source
I_d = k'_p*WL*(modulus(V_ov)-1/2*V_DS)*V_DS
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili
modulus - Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero., modulusAssorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata.
Tensione tra Drain e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)