Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Assorbimento di corrente = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 8 Variabili
Funzioni utilizzate
int - L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, che è l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)
Variabili utilizzate
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre dal terminale di drain al terminale di source, controllata dalla tensione applicata al gate.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.
Mobilità elettronica - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Tensione della sorgente di gate - (Misurato in Volt) - La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.
Tensione della sorgente di drenaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di drain source è la tensione applicata tra drain e terminale source.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Larghezza del canale: 2.678 Metro --> 2.678 Metro Nessuna conversione richiesta
Lunghezza del canale: 3.45 Metro --> 3.45 Metro Nessuna conversione richiesta
Mobilità elettronica: 9.92 Metro quadrato per Volt al secondo --> 9.92 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dell'ossido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nessuna conversione richiesta
Tensione della sorgente di gate: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione della sorgente di drenaggio: 45 Volt --> 45 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS) --> (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45)
Valutare ... ...
ID = 1675.72193947826
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1675.72193947826 Ampere --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1675.72193947826 1675.722 Ampere <-- Assorbimento di corrente
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Vignesh Naidu
Vellore Istituto di Tecnologia (VIT), Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
​ LaTeX ​ Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))
Potenziale di Fermi per il tipo P
​ LaTeX ​ Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
​ LaTeX ​ Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
​ LaTeX ​ Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS Formula

​LaTeX ​Partire
Assorbimento di corrente = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
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