Assorbimento di corrente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Assorbimento di corrente = Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido di gate*(Larghezza giunzione cancello/Lunghezza del cancello)*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Drain Source Tensione di saturazione
ID = μn*Cox*(Wgate/Lg)*(Vgs-Vth)*Vds
Questa formula utilizza 8 Variabili
Variabili utilizzate
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio è definita come la corrente di sottosoglia che di solito è al di sotto della corrente di soglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Mobilità dell'elettrone - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.
Capacità dell'ossido di gate - (Misurato in Farad) - La capacità di ossido di gate è la capacità di un componente o di un circuito di raccogliere e immagazzinare energia sotto forma di carica elettrica.
Larghezza giunzione cancello - (Misurato in Metro) - La larghezza della giunzione del gate è definita come la larghezza della giunzione del gate in un dispositivo a semiconduttore.
Lunghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La lunghezza del gate è semplicemente la lunghezza fisica del gate. La lunghezza del canale è il percorso che collega i portatori di carica tra lo scarico e la sorgente.
Tensione sorgente gate - (Misurato in Volt) - La tensione di gate source di un transistor è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la minima tensione gate-source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Drain Source Tensione di saturazione - (Misurato in Volt) - Drain Source Saturation Voltage è la differenza di tensione tra l'emettitore e il terminale del collettore necessaria per accendere un MOSFET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Mobilità dell'elettrone: 180 Metro quadrato per Volt al secondo --> 180 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dell'ossido di gate: 75 Nanofarad --> 7.5E-08 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza giunzione cancello: 230 Micrometro --> 0.00023 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Lunghezza del cancello: 2.3 Nanometro --> 2.3E-09 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Tensione sorgente gate: 1.25 Volt --> 1.25 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta
Drain Source Tensione di saturazione: 1.2 Volt --> 1.2 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ID = μn*Cox*(Wgate/Lg)*(Vgs-Vth)*Vds --> 180*7.5E-08*(0.00023/2.3E-09)*(1.25-0.7)*1.2
Valutare ... ...
ID = 0.891
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.891 Ampere -->891 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
891 Millampere <-- Assorbimento di corrente
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Akshada Kulkarni
Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Team Softusvista
Ufficio Softusvista (Pune), India
Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

Parametri operativi del transistor Calcolatrici

Fattore di amplificazione corrente utilizzando il fattore di trasporto di base
​ LaTeX ​ Partire Fattore di amplificazione corrente = Fattore di trasporto di base/(Fattore di trasporto di base+1)
Fattore di amplificazione corrente
​ LaTeX ​ Partire Fattore di amplificazione corrente = Corrente del collettore/Corrente dell'emettitore
Corrente del collettore utilizzando il fattore di trasporto di base
​ LaTeX ​ Partire Corrente del collettore = Fattore di trasporto di base*Corrente di base
Corrente di emettitore
​ LaTeX ​ Partire Corrente dell'emettitore = Corrente di base+Corrente del collettore

Assorbimento di corrente Formula

​LaTeX ​Partire
Assorbimento di corrente = Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido di gate*(Larghezza giunzione cancello/Lunghezza del cancello)*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Drain Source Tensione di saturazione
ID = μn*Cox*(Wgate/Lg)*(Vgs-Vth)*Vds

In che modo la corrente di drenaggio si altera con il gate to source e la tensione di soglia?

La corrente di drain è zero se la tensione gate-to-source è inferiore alla tensione di soglia. L'espressione lineare è valida solo se la tensione da drain a source è molto inferiore alla tensione da gate a source meno la tensione di soglia. Ciò assicura che la velocità, il campo elettrico e la densità di carica dello strato di inversione siano effettivamente costanti tra la sorgente e lo scarico. Sebbene non vi sia corrente di drain se la tensione di gate è inferiore alla tensione di soglia, la corrente aumenta con la tensione di gate una volta che è maggiore della tensione di soglia.

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