✖La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.ⓘ Mobilità dell'elettrone [μn] | | | +10% -10% |
✖La capacità di ossido di gate è la capacità di un componente o di un circuito di raccogliere e immagazzinare energia sotto forma di carica elettrica.ⓘ Capacità dell'ossido di gate [Cox] | | | +10% -10% |
✖La larghezza della giunzione del gate è definita come la larghezza della giunzione del gate in un dispositivo a semiconduttore.ⓘ Larghezza giunzione cancello [Wgate] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del gate è semplicemente la lunghezza fisica del gate. La lunghezza del canale è il percorso che collega i portatori di carica tra lo scarico e la sorgente.ⓘ Lunghezza del cancello [Lg] | | | +10% -10% |
✖La tensione di gate source di un transistor è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione sorgente gate [Vgs] | | | +10% -10% |
✖La tensione di soglia del transistor è la minima tensione gate-source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [Vth] | | | +10% -10% |
✖Drain Source Saturation Voltage è la differenza di tensione tra l'emettitore e il terminale del collettore necessaria per accendere un MOSFET.ⓘ Drain Source Tensione di saturazione [Vds] | | | +10% -10% |