MCD di tre numeri

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre dalla sorgente al terminale di drain sotto l'influenza della tensione applicata al terminale di gate.ⓘ Assorbimento di corrente [I_D]			+10% -10%

✖La corrente di drenaggio dopo il ridimensionamento della tensione si riferisce alla corrente che scorre attraverso il terminale di drenaggio dopo aver ridimensionato il dispositivo mediante il metodo di ridimensionamento della tensione.ⓘ Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione VLSI [I_D(vs)']

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Formula

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Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione VLSI

Formula

I D(vs)' = Sf \cdot I D

Esempio

1.599 mA = 1.5 \cdot 1.066 mA

Calcolatrice

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Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione = Fattore di scala*Assorbimento di corrente
I_D(vs)' = Sf*I_D
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio dopo il ridimensionamento della tensione si riferisce alla corrente che scorre attraverso il terminale di drenaggio dopo aver ridimensionato il dispositivo mediante il metodo di ridimensionamento della tensione.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre dalla sorgente al terminale di drain sotto l'influenza della tensione applicata al terminale di gate.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 1.066 Millampere --> 0.001066 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_D(vs)' = Sf*I_D --> 1.5*0.001066

Valutare ... ...

I_D(vs)' = 0.001599

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.001599 Ampere -->1.599 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.599 Millampere <-- Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione VLSI Formula

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento della tensione = Fattore di scala*Assorbimento di corrente
I_D(vs)' = Sf*I_D

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