MCD di due numeri

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento completo VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La corrente di drain è la corrente che scorre dalla sorgente al terminale di drain sotto l'influenza della tensione applicata al terminale di gate.ⓘ Assorbimento di corrente [I_D]			+10% -10%
✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%

✖La corrente di drenaggio dopo la scalatura completa è definita come il valore della corrente di drenaggio dopo la riduzione delle dimensioni del MOSFET mediante la scalatura completa.ⓘ Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento completo VLSI [I_D']

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Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento completo VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente dopo la scalatura completa = Assorbimento di corrente/Fattore di scala
I_D' = I_D/Sf
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente dopo la scalatura completa - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio dopo la scalatura completa è definita come il valore della corrente di drenaggio dopo la riduzione delle dimensioni del MOSFET mediante la scalatura completa.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre dalla sorgente al terminale di drain sotto l'influenza della tensione applicata al terminale di gate.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Assorbimento di corrente: 1.066 Millampere --> 0.001066 Ampere (Controlla la conversione qui)
Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_D' = I_D/Sf --> 0.001066/1.5

Valutare ... ...

I_D' = 0.000710666666666667

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.000710666666666667 Ampere -->0.710666666666667 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.710666666666667 ≈ 0.710667 Millampere <-- Assorbimento di corrente dopo la scalatura completa

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Assorbimento di corrente dopo il ridimensionamento completo VLSI Formula

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Assorbimento di corrente dopo la scalatura completa = Assorbimento di corrente/Fattore di scala
I_D' = I_D/Sf

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