Assorbimento di corrente del piccolo segnale MOSFET calcolatrice

✖Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.ⓘ Percorso libero medio elettronico [λ]			+10% -10%
✖La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.ⓘ Resistenza di uscita [R_out]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente del piccolo segnale MOSFET [i_d]

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Assorbimento di corrente del piccolo segnale MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = 1/(Percorso libero medio elettronico*Resistenza di uscita)
i_d = 1/(λ*R_out)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Percorso libero medio elettronico - Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.
Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Percorso libero medio elettronico: 2.78 --> Nessuna conversione richiesta
Resistenza di uscita: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = 1/(λ*R_out) --> 1/(2.78*4500)

Valutare ... ...

i_d = 7.99360511590727E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.99360511590727E-05 Ampere -->0.0799360511590727 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0799360511590727 ≈ 0.079936 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Analisi di piccoli segnali Calcolatrici

Tensione di uscita del canale P per piccoli segnali

LaTeX Partire Tensione di uscita = Transconduttanza*Sorgente alla tensione di gate*((Resistenza di uscita*Resistenza allo scarico)/(Resistenza allo scarico+Resistenza di uscita))

Guadagno di tensione per piccoli segnali rispetto alla resistenza di drenaggio

LaTeX Partire Guadagno di tensione = (Transconduttanza*((Resistenza di uscita*Resistenza allo scarico)/(Resistenza di uscita+Resistenza allo scarico)))

Transconduttanza dati parametri di segnale piccolo

LaTeX Partire Transconduttanza = 2*Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale)

Tensione di uscita del segnale piccolo

LaTeX Partire Tensione di uscita = Transconduttanza*Sorgente alla tensione di gate*Resistenza al carico

Vedi altro >>

Assorbimento di corrente del piccolo segnale MOSFET Formula

LaTeX Partire

Assorbimento di corrente = 1/(Percorso libero medio elettronico*Resistenza di uscita)
i_d = 1/(λ*R_out)

Il MOSFET è un dispositivo simmetrico?

MOSFET è un dispositivo simmetrico, quindi la risposta è sì. tuttavia, se nel progetto del tuo circuito hai legato il tuo corpo a uno dei terminali, vorresti che quel terminale fosse la sorgente.

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