Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2
Ids = 1/2*k'p*WL*(Vov)^2
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente di scarico di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain di saturazione al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Controlla la conversione ​qui)
Proporzioni: 6 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione effettiva: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ids = 1/2*k'p*WL*(Vov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2
Valutare ... ...
Ids = 0.02939328
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.02939328 Ampere -->29.39328 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
29.39328 Millampere <-- Corrente di scarico di saturazione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Miglioramento del canale P Calcolatrici

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)
Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source
Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2
Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov
​ LaTeX ​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov Formula

​LaTeX ​Partire
Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2
Ids = 1/2*k'p*WL*(Vov)^2

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

In che modo scorre la corrente in un PMOS?

In un NMOS gli elettroni sono i portatori di carica. Quindi gli elettroni viaggiano da Source a Drain (il che significa che la corrente va da Drain> Source.) In un PMOS i fori sono i portatori di carica1. Quindi i buchi viaggiano dalla sorgente al drenaggio.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!