Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%
✖La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.ⓘ Tensione tra Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%

✖La corrente di drain di saturazione al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.ⓘ Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS [I_ds]

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Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

modulus - Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero., modulus

Variabili utilizzate

Corrente di scarico di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain di saturazione al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Controlla la conversione qui)
Proporzioni: 6 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2

Valutare ... ...

I_ds = 0.02939328

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.02939328 Ampere -->29.39328 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

29.39328 Millampere <-- Corrente di scarico di saturazione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale P Calcolatrici

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Vedi altro >>

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS Formula

LaTeX Partire

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

In che modo scorre la corrente in un PMOS?

In un NMOS gli elettroni sono i portatori di carica. Quindi gli elettroni viaggiano da Source a Drain (il che significa che la corrente va da Drain> Source). In un PMOS i buchi sono portati dalla carica. Quindi i buchi viaggiano dalla sorgente al drenaggio.

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