Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS calcolatrice

Corrente di drenaggio della regione di saturazione = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 6 Variabili
int - L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, che è l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)Corrente di drenaggio della regione di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio della regione di saturazione è la corrente che scorre dal terminale di drenaggio al terminale di sorgente quando il transistor funziona in una modalità specifica.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Velocità di deriva degli elettroni in saturazione - (Misurato in Metro al secondo) - La velocità di deriva degli elettroni di saturazione rappresenta la velocità di deriva degli elettroni alla saturazione in un MOSFET che si trova a bassi campi elettrici.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Una carica è la proprietà fondamentale delle forme di materia che esibiscono attrazione o repulsione elettrostatica in presenza di altra materia.
Parametro del canale corto - Il parametro a canale corto è un parametro (potenzialmente specifico del modello) utilizzato per descrivere una caratteristica della regione del canale in un MOSFET a canale corto.
Lunghezza effettiva del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza effettiva del canale è la parte del canale che conduce attivamente la corrente quando il transistor è in funzione.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)