Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo calcolatrice

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza [g_m]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%
✖Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo [k'_n]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo [i_d]

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Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)
i_d = g_m^2/(2*WL*k'_n)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione qui)
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta
Parametro di transconduttanza di processo: 0.015 Ampere per Volt Quadrato --> 0.015 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = g_m^2/(2*WL*k'_n) --> 0.0005^2/(2*0.1*0.015)

Valutare ... ...

i_d = 8.33333333333333E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8.33333333333333E-05 Ampere -->0.0833333333333333 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0833333333333333 ≈ 0.083333 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

LaTeX Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Vedi altro >>

Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo Formula

LaTeX Partire

Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)
i_d = g_m^2/(2*WL*k'_n)

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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