Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%

✖Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.ⓘ Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione [k_n]

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Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni
k_n = k'_p*WL
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.
Parametro di transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Controlla la conversione qui)
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

k_n = k'_p*WL --> 0.0021*0.1

Valutare ... ...

k_n = 0.00021

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00021 Ampere per Volt Quadrato --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.00021 Ampere per Volt Quadrato <-- Parametro di transconduttanza

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

NMOS come resistenza lineare

LaTeX Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

LaTeX Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione Formula

LaTeX Partire

Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni
k_n = k'_p*WL

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ciascuna classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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