Concentrazione del drogante del donatore calcolatrice

Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)
N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 6 Variabili
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19Concentrazione del drogante del donatore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione del drogante donatore è la concentrazione di atomi donatori per unità di volume.
Corrente di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di saturazione si riferisce alla corrente massima che può fluire attraverso il transistor quando è completamente acceso.
Lunghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Larghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Mobilità elettronica - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.
Capacità dello strato di esaurimento - (Misurato in Farad) - La capacità dello strato di svuotamento per unità di area è la capacità dello strato di svuotamento per unità di area.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)