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Concentrazione dei donatori calcolatrice

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Giunzione SSD Banda energetica e portatore di carica Elettroni e buchi Porta semiconduttori

✖La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.ⓘ Carica totale dell'accettore [\|Q\|]			+10% -10%
✖La penetrazione di carica di tipo P si riferisce al fenomeno in cui gli atomi droganti, come boro o gallio, introducono fori nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore, tipicamente silicio o germanio.ⓘ Penetrazione di carica di tipo P [x_po]			+10% -10%
✖L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%

✖La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione o alla densità degli atomi donatori in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei donatori [N_d]

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Concentrazione dei donatori Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione o alla densità degli atomi donatori in un materiale semiconduttore.
Carica totale dell'accettore - (Misurato in Coulomb) - La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.
Penetrazione di carica di tipo P - (Misurato in Metro) - La penetrazione di carica di tipo P si riferisce al fenomeno in cui gli atomi droganti, come boro o gallio, introducono fori nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore, tipicamente silicio o germanio.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica totale dell'accettore: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nessuna conversione richiesta
Penetrazione di carica di tipo P: 0.06 Micrometro --> 6E-08 Metro (Controlla la conversione qui)
Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Valutare ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.50370647427462E+35 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 per metro cubo <-- Concentrazione dei donatori

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

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Capacità di giunzione

LaTeX Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))

Resistenza in serie nel tipo P

LaTeX Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N

Tensione di giunzione

LaTeX Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica

Larghezza tipo N

LaTeX Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Vedi altro >>

Concentrazione dei donatori Formula

LaTeX Partire

Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

Cos'è un atomo donatore?

Un donatore è un atomo drogante che, quando aggiunto a un semiconduttore, può formare una regione di tipo n. Un atomo donatore ha più elettroni disponibili per il legame con atomi vicini di quanti ne sia richiesto per un atomo nel semiconduttore ospite.

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