Frequenza di taglio calcolatrice

✖La velocità di deriva saturata è la velocità massima che può viaggiare in un portatore di carica di un semiconduttore.ⓘ Velocità di deriva saturata [V_s]			+10% -10%
✖La lunghezza del gate è definita come la distanza tra gli elettrodi di source e drain lungo la direzione perpendicolare al piano del materiale semiconduttore e parallela all'elettrodo di gate.ⓘ Lunghezza del cancello [L_gate]			+10% -10%

✖La frequenza di taglio è definita come la frequenza angolare è un limite nella risposta in frequenza del sistema al quale l'energia che fluisce attraverso il sistema inizia a ridursi anziché passare.ⓘ Frequenza di taglio [f_co]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Caratteristiche del MESFET Formule PDF PDF Image

Frequenza di taglio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)
f_co = V_s/(4*pi*L_gate)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Frequenza di taglio - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio è definita come la frequenza angolare è un limite nella risposta in frequenza del sistema al quale l'energia che fluisce attraverso il sistema inizia a ridursi anziché passare.
Velocità di deriva saturata - (Misurato in Metro al secondo) - La velocità di deriva saturata è la velocità massima che può viaggiare in un portatore di carica di un semiconduttore.
Lunghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La lunghezza del gate è definita come la distanza tra gli elettrodi di source e drain lungo la direzione perpendicolare al piano del materiale semiconduttore e parallela all'elettrodo di gate.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Velocità di deriva saturata: 5 Millimeter / Second --> 0.005 Metro al secondo (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del cancello: 13.24 Micrometro --> 1.324E-05 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_co = V_s/(4*pi*L_gate) --> 0.005/(4*pi*1.324E-05)

Valutare ... ...

f_co = 30.0519152363851

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

30.0519152363851 Hertz --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

30.0519152363851 ≈ 30.05192 Hertz <-- Frequenza di taglio

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Teoria delle microonde » Dispositivi a semiconduttore a microonde » Caratteristiche del MESFET » Frequenza di taglio

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del MESFET Calcolatrici

Lunghezza del cancello del MESFET

LaTeX Partire Lunghezza del cancello = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Frequenza di taglio)

Frequenza di taglio

LaTeX Partire Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)

Capacità della sorgente di gate

LaTeX Partire Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)

Transconduttanza nel MESFET

LaTeX Partire Transconduttanza = 2*Capacità della sorgente di gate*pi*Frequenza di taglio

Vedi altro >>

Frequenza di taglio Formula

LaTeX Partire

Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)
f_co = V_s/(4*pi*L_gate)

Quali sono le applicazioni di MESFET?

I MESFET offrono vantaggi quali elevato guadagno, alta velocità, basso rumore e basso consumo energetico, che li rendono adatti a varie applicazioni nei campi dell'elettronica, delle telecomunicazioni e della biomedicina.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!