✖Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in NMOS [k'n] | | | +10% -10% |
✖La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.ⓘ Larghezza del canale [Wc] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.ⓘ Lunghezza del canale [L] | | | +10% -10% |
✖Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione sorgente gate [Vgs] | | | +10% -10% |
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [VT] | | | +10% -10% |
✖Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.ⓘ Scaricare la tensione della sorgente [Vds] | | | +10% -10% |