Densità di corrente dovuta ai buchi calcolatrice

✖La concentrazione di fori si riferisce al numero totale di fori presenti in una particolare area.ⓘ Concentrazione dei fori [N_p]			+10% -10%
✖La mobilità delle lacune è la capacità di una lacuna di muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore, in presenza di campo elettrico applicato.ⓘ Mobilità dei fori [μ_p]			+10% -10%
✖L'intensità del campo elettrico si riferisce alla forza per unità di carica esercitata dalle particelle cariche (come elettroni o lacune) all'interno del materiale.ⓘ Intensità del campo elettrico [E_I]			+10% -10%

✖La densità di corrente dei fori è definita come la quantità di corrente elettrica che viaggia a causa dei fori per unità di area della sezione trasversale. Si chiama densità di corrente ed è espressa in ampere per metro quadrato.ⓘ Densità di corrente dovuta ai buchi [J_p]

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Densità di corrente dovuta ai buchi Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico
J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E_I
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Densità di corrente dei fori - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La densità di corrente dei fori è definita come la quantità di corrente elettrica che viaggia a causa dei fori per unità di area della sezione trasversale. Si chiama densità di corrente ed è espressa in ampere per metro quadrato.
Concentrazione dei fori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di fori si riferisce al numero totale di fori presenti in una particolare area.
Mobilità dei fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità delle lacune è la capacità di una lacuna di muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore, in presenza di campo elettrico applicato.
Intensità del campo elettrico - (Misurato in Volt per metro) - L'intensità del campo elettrico si riferisce alla forza per unità di carica esercitata dalle particelle cariche (come elettroni o lacune) all'interno del materiale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione dei fori: 2E+16 1 per metro cubo --> 2E+16 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dei fori: 150 Metro quadrato per Volt al secondo --> 150 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Intensità del campo elettrico: 3.428 Volt per metro --> 3.428 Volt per metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E_I --> [Charge-e]*2E+16*150*3.428

Valutare ... ...

J_p = 1.647678436008

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.647678436008 Ampere per metro quadrato --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.647678436008 ≈ 1.647678 Ampere per metro quadrato <-- Densità di corrente dei fori

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

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Densità di corrente dovuta agli elettroni

LaTeX Partire Densità di corrente elettronica = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità dell'elettrone*Intensità del campo elettrico

Densità di corrente dovuta ai buchi

LaTeX Partire Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Costante di diffusione degli elettroni

LaTeX Partire Costante di diffusione elettronica = Mobilità dell'elettrone*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Lunghezza di diffusione del foro

LaTeX Partire Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)

Vedi altro >>

Densità di corrente dovuta ai buchi Formula

LaTeX Partire

Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico
J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E_I

In che modo la densità di corrente nei buchi è diversa dalla densità di corrente negli elettroni?

Nei semiconduttori la corrente fluisce non solo a causa degli elettroni, ma è dovuta alla deriva degli elettroni e ai buchi. Il movimento delle lacune è sempre opposto a quello degli elettroni corrispondenti. I fori contribuiscono alla corrente nella loro direzione di movimento mentre gli elettroni contribuiscono alla corrente opposta alla loro direzione di movimento. Quindi entrambe le correnti saranno nella stessa direzione. Gli elettroni coinvolti nel causare corrente nel semiconduttore, si muovono attraverso la banda di conduzione mentre i fori che causano la corrente nel semiconduttore si muovono attraverso la banda di valance. Questo è il motivo per cui la mobilità degli elettroni e dei buchi è diversa nei semiconduttori.

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