Buco di densità di corrente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)
Jp = q*Dp*(pn/Wb)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Densità di corrente del foro - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La densità di corrente del foro contribuisce alla corrente totale in un dispositivo a semiconduttore ed è un parametro essenziale per comprendere il comportamento del semiconduttore.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Costante di diffusione per PNP - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione per PNP descrive la facilità con cui questi portatori minoritari si diffondono attraverso il materiale semiconduttore quando viene applicato un campo elettrico.
Concentrazione di equilibrio dei fori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio dei fori è una proprietà caratteristica del materiale ed è determinata da fattori intrinseci come l'energia del bandgap e la temperatura.
Larghezza della base - (Misurato in Metro) - La larghezza della base è un parametro importante che influenza le caratteristiche del transistor, soprattutto in termini di funzionamento e velocità.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Costante di diffusione per PNP: 100 Centimetro quadrato al secondo --> 0.01 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di equilibrio dei fori: 70 1 per centimetro cubo --> 70000000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza della base: 8 Centimetro --> 0.08 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Jp = q*Dp*(pn/Wb) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)
Valutare ... ...
Jp = 43750
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
43750 Ampere per metro quadrato -->4.375 Ampere per centimetro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
4.375 Ampere per centimetro quadrato <-- Densità di corrente del foro
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Buco di densità di corrente Formula

Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)
Jp = q*Dp*(pn/Wb)
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