✖La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.ⓘ Mobilità dell'elettrone [μe] | | | +10% -10% |
✖La capacità di ossido è la capacità del condensatore a piastre parallele per unità di area di gate.ⓘ Capacità dell'ossido [Cox] | | | +10% -10% |
✖La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.ⓘ Larghezza del canale [Wc] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.ⓘ Lunghezza del canale [L] | | | +10% -10% |
✖La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.ⓘ Tensione attraverso l'ossido [Vox] | | | +10% -10% |
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [Vt] | | | +10% -10% |
✖La tensione di saturazione tra drain e source in un transistor è una tensione dal collettore e dall'emettitore necessaria per la saturazione.ⓘ Tensione di saturazione tra Drain e Source [Vds] | | | +10% -10% |