Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS calcolatrice

Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)
I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Assorbimento di corrente in NMOS - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Scaricare la tensione della sorgente - (Misurato in Volt) - Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.
Tensione di overdrive in NMOS - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive in NMOS si riferisce in genere alla tensione applicata a un dispositivo o componente che supera la sua normale tensione operativa.

(Calcolo completato in 00.021 secondi)