Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.ⓘ Scaricare la tensione della sorgente [V_ds]			+10% -10%

✖La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).ⓘ Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS [I_d]

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Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente in NMOS - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Scaricare la tensione della sorgente - (Misurato in Volt) - Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 Metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Scaricare la tensione della sorgente: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2

Valutare ... ...

I_d = 0.236883

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.236883 Ampere -->236.883 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

236.883 Millampere <-- Assorbimento di corrente in NMOS

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

NMOS come resistenza lineare

LaTeX Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

LaTeX Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS Formula

LaTeX Partire

Cos'è NMOS?

NMOS (MOSFET) è una sorta di MOSFET. Un transistor NMOS è costituito da un source e drain di tipo n e un substrato di tipo p. Quando viene applicata una tensione al gate, i fori nel corpo (substrato di tipo p) vengono allontanati dal gate. Ciò consente la formazione di un canale di tipo n tra la sorgente e il drenaggio e una corrente viene condotta dagli elettroni dalla sorgente al drenaggio attraverso un canale di tipo n indotto. Si dice che le porte logiche e altri dispositivi digitali implementati utilizzando NMOS abbiano logica NMOS. Ci sono tre modalità operative in un NMOS chiamate cut-off, triode e saturation. La logica NMOS è facile da progettare e produrre. I circuiti con porte logiche NMOS, tuttavia, consumano energia statica quando il circuito è inattivo poiché la corrente CC scorre attraverso la porta logica quando l'uscita è bassa.

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