Conduttività di tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
σ = q*(μn*Nd+μp*(ni^2/Nd))
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Conduttività ohmica - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.
Concentrazione di equilibrio di tipo N - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.
Mobilità del silicio drogato con fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico: 0.38 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 3.8E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di equilibrio di tipo N: 45 1 per centimetro cubo --> 45000000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio drogato con fori: 2.4 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.00024 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione intrinseca: 1.32 1 per centimetro cubo --> 1320000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
σ = q*(μn*Ndp*(ni^2/Nd)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))
Valutare ... ...
σ = 8.596464
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
8.596464 Siemens/Metro -->0.08596464 Mho/Centimetro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.08596464 0.085965 Mho/Centimetro <-- Conduttività ohmica
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
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Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Conduttività di tipo N Formula

​LaTeX ​Partire
Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
σ = q*(μn*Nd+μp*(ni^2/Nd))
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