Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Variabili utilizzate
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività dei semiconduttori estrinseci (tipo n) è la misura della facilità con cui una carica elettrica o un calore può passare attraverso un materiale semiconduttore estrinseco di tipo n.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato del donatore.
Mobilità dell'elettrone - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione dei donatori: 2E+17 1 per metro cubo --> 2E+17 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dell'elettrone: 180 Metro quadrato per Volt al secondo --> 180 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Valutare ... ...
σn = 5.767835832
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.767835832 Siemens/Metro --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.767835832 5.767836 Siemens/Metro <-- Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n)
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Akshada Kulkarni
Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Team Softusvista
Ufficio Softusvista (Pune), India
Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori
​ LaTeX ​ Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)
Lunghezza di diffusione elettronica
​ LaTeX ​ Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)
Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci
​ LaTeX ​ Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2
Mobilità dei vettori di carica
​ LaTeX ​ Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N Formula

​LaTeX ​Partire
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
σn = Nd*[Charge-e]*μn

Cosa sono i semiconduttori estrinseci?

I semiconduttori estrinseci sono solo semiconduttori intrinseci che sono stati drogati con atomi di impurità (difetti sostituzionali unidimensionali in questo caso). Il doping è il processo in cui i semiconduttori aumentano la loro conduttività elettrica introducendo atomi di diversi elementi nel loro reticolo.

Cos'è il semiconduttore estrinseco di tipo n?

Un semiconduttore di tipo n viene creato quando semiconduttori puri, come Si e Ge, sono drogati con elementi pentavalenti. quando un semiconduttore è drogato con un atomo pentavalente, gli elettroni sono i principali portatori di carica. D'altra parte, i fori sono i portatori di carica di minoranza. Pertanto, tali semiconduttori estrinseci sono chiamati semiconduttori di tipo n. In un semiconduttore di tipo n, Numero di elettroni liberi >> Numero di buchi

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