Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P calcolatrice

✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione dei buchi nello stato dell'accettore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]			+10% -10%
✖La mobilità delle lacune è la capacità di una lacuna di muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore, in presenza di campo elettrico applicato.ⓘ Mobilità dei fori [μ_p]			+10% -10%

✖La conduttività dei semiconduttori estrinseci (tipo p) è la misura della facilità con cui una carica elettrica o un calore può passare attraverso un materiale semiconduttore estrinseco di tipo p.ⓘ Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P [σ_p]

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Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività dei semiconduttori estrinseci (tipo p) è la misura della facilità con cui una carica elettrica o un calore può passare attraverso un materiale semiconduttore estrinseco di tipo p.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione dei buchi nello stato dell'accettore.
Mobilità dei fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità delle lacune è la capacità di una lacuna di muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore, in presenza di campo elettrico applicato.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per metro cubo --> 1E+16 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dei fori: 150 Metro quadrato per Volt al secondo --> 150 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p --> 1E+16*[Charge-e]*150

Valutare ... ...

σ_p = 0.240326493

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.240326493 Siemens/Metro --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.240326493 ≈ 0.240326 Siemens/Metro <-- Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p)

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

LaTeX Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Lunghezza di diffusione elettronica

LaTeX Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

LaTeX Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Mobilità dei vettori di carica

LaTeX Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Vedi altro >>

Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P Formula

LaTeX Partire

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p

Spiega la conduttività nei semiconduttori.

I semiconduttori sono conduttori elettrici semi-buoni perché sebbene la loro banda di valenza sia completamente riempita, il divario di energia tra la banda di valance e la banda di conduzione non è troppo grande. Quindi alcuni elettroni possono collegarlo per diventare portatori di carica. La differenza tra i semiconduttori e un isolante è l'entità del divario di energia. Per i semiconduttori Eg <2eV e per gli isolanti Eg> 2eV Ci è noto che la conduttività di un semiconduttore dipende dalla concentrazione di elettroni liberi in esso

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