✖La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.ⓘ Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale [μs] | | | +10% -10% |
✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità dell'ossido [Cox] | | | +10% -10% |
✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale [Wc] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Lunghezza del canale [L] | | | +10% -10% |
✖La tensione attraverso l'ossido dovuta alla carica all'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.ⓘ Tensione attraverso l'ossido [Vox] | | | +10% -10% |