Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare
G = 1/Rds
Questa formula utilizza 2 Variabili
Variabili utilizzate
Conduttanza del canale - (Misurato in Siemens) - La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi.
Resistenza lineare - (Misurato in Ohm) - Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistenza lineare: 0.166 Kilohm --> 166 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
G = 1/Rds --> 1/166
Valutare ... ...
G = 0.00602409638554217
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
6.02409638554217 6.024096 Millisiemens <-- Conduttanza del canale
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto
​ LaTeX ​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
Resistenza finita tra Drain e Source
​ LaTeX ​ Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente
Percorso libero medio elettronico
​ LaTeX ​ Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)
Resistenza uscita scarico
​ LaTeX ​ Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)
Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)
Guadagno di tensione data la tensione di drain
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva
Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET Formula

​LaTeX ​Partire
Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare
G = 1/Rds

Il MOSFET è un dispositivo simmetrico?

MOSFET è un dispositivo simmetrico, quindi la risposta è sì. tuttavia, se nel progetto del tuo circuito hai legato il tuo corpo a uno dei terminali, vorresti che quel terminale fosse la sorgente.

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