MCD di tre numeri

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza calcolatrice

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Banda energetica e portatore di carica Elettroni e buchi Giunzione SSD Porta semiconduttori

✖La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.ⓘ Densità di stato effettiva in banda di valenza [N_v]			+10% -10%
✖La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.ⓘ Funzione di Fermi [f_E]			+10% -10%

✖La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dei buchi nella banda di valenza [p₀]

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Concentrazione dei buchi nella banda di valenza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di buchi nella banda di valenza si riferisce alla quantità o all'abbondanza di buchi presenti nella banda di valenza di un materiale semiconduttore.
Densità di stato effettiva in banda di valenza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.
Funzione di Fermi - La funzione di Fermi è definita come un termine usato per descrivere la parte superiore della raccolta dei livelli di energia degli elettroni alla temperatura dello zero assoluto.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Densità di stato effettiva in banda di valenza: 240000000000 1 per metro cubo --> 240000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Funzione di Fermi: 0.022 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

p₀ = N_v*(1-f_E) --> 240000000000*(1-0.022)

Valutare ... ...

p₀ = 234720000000

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

234720000000 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

234720000000 ≈ 2.3E+11 1 per metro cubo <-- Concentrazione dei buchi nella banda di Valance

(Calcolo completato in 00.006 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Banda energetica e portatore di carica Calcolatrici

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

LaTeX Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

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Divario energetico

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Vedi altro >>

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza Formula

LaTeX Partire

Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
p₀ = N_v*(1-f_E)

La banda di valenza contiene dei buchi?

I fori risiedono nella banda di valenza, un livello al di sotto della banda di conduzione. Il drogaggio con un accettore di elettroni, un atomo che può accettare un elettrone, crea una carenza di elettroni, come un eccesso di lacune. Poiché i buchi sono portatori di carica positivi, un drogante accettore di elettroni è anche noto come drogante di tipo P.

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